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    解決方案 |LabMS 3000 ICP-MS測定電子級多晶矽中基體金屬雜質含量

    更新時間:2023-02-22       點擊次數:2010

    前言

    電子級多晶矽金屬雜質含量是評價其豆奶成年短视频下载質量的重要指標之一,其雜質含量的高低直接影響下遊晶圓製造豆奶成年短视频下载質量,所以對其金屬雜質含量的控製至關重要。

    本實驗參照《GB∕T 37049-2018 電子級多晶矽中基體金屬雜質含量的測定 電感耦合等離子體質譜法》,采用LabMS 3000s ICP-MS測試電子級多晶矽中基體金屬雜質含量。LabMS 3000s采用的加強型離子透鏡和偏轉技術,結合高性能冷等離子技術和新一代碰撞反應池技術,可有效消除幹擾,從而獲得更低的檢測限、背景等效濃度和準確的超痕量分析結果,保證數據質量。

    1.實驗

    1.1 儀器設備

    EH20B 微控數顯電熱板,豆奶APP官网

    微信圖片_20230217151346 

    LabMS 3000s 電感耦合等離子體質譜儀,豆奶APP官网

    電感耦合等離子體質譜儀LabMS3000ICP-MS5432 

    1.2 樣品前處理

    1.2.1 樣品預處理

    將樣品破碎成小塊,破碎過程中嚴格避免金屬沾汙。將破碎後樣品置於用氫氟酸和硝酸混合溶液中消解清洗,剝離全部表麵層後用超純水洗淨。

    將清洗後的樣品置於潔淨聚四氟燒杯中,於電熱板上烘幹至恒重。

    1.2.2 樣品製備

    稱取0.5g(0.0001g)清洗烘幹後的樣品於潔淨聚四氟燒杯中,加入一定量的氫氟酸和硝酸混合溶液中,在電熱板上加熱使樣品全部溶解,繼續加熱將溶液蒸發近幹。室溫冷卻加3%硝酸溶解定容至5ml,轉移至PFA樣品瓶待測。

    1.3 幹擾校正

    Cr、Ni、Cu、Zn易受到(ArN+)、(ArC+)、(ArOH+)等分子的幹擾,采用氦氣碰撞模式消除幹擾;Na元素在正常熱等離子體中受幹擾較多,背景較高,采用等離子體模式測試可有效降低背景,提升檢出限;Fe元素在正常熱等離子體中受到(ArO+)分子的幹擾,采用冷等離子體模式測試。

    1.4 標準溶液配置

    各元素曲線係列點濃度如表1所示;手動加入2ppb的Co內標。

    表1 各元素的標準溶液配製梯度

    表1 各元素的標準溶液配製梯度 

    1.5 儀器參數

    表2 LabMS 3000s ICP-MS 儀器參數

    表2 LabMS 3000s ICP-MS 儀器參數 

    2.測試結果

    2.1 標準曲線:經測試,所有元素線性相關係數大於 0.999。

    圖1 6種元素的標準曲線 

    圖1  6種元素的標準曲線

    2.2 背景等效濃度(BEC)及檢出限(DL)

    表3 各元素的背景等效濃度(BEC)及檢出限(DL)

    表3 各元素的背景等效濃度(BEC)及檢出限(DL) 

    注:各元素的等效濃度(BEC)及檢出限(DL)直接使用標準曲線上給出的數值。

    2.3 樣品測試結果

    表4 樣品測試結果

    表4 樣品測試結果 

    3.結論

    LabMS 3000s ICP-MS的第四代碰撞池技術及冷等離子技術能夠有效去除幹擾,獲得小於5ppt的背景等效濃度(BEC)以及小於1ppt的檢出限(DL)。結果表明,LabMS 3000s可有效檢測電子級多晶矽中基體金屬雜質含量。

     

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